Теоретично розраховано поверхневий вигин зон у бінарних сполуках ZnS(Se), GeS(Se)2, As2S(Se)3, Sb2S(Se)3. Використано метод, який поєднує методи лінійної комбінації атомних орбіталей і псевдопотенціалу, розроблений у роботах У. Харрісона. Побудовано енергетичні діаграми заборонених зон досліджуваних матеріалів та проаналізовано залежність поверхневого вигину зон від ступеня іонності та ширини забороненої зони. Наведено експериментальні спектральні залежності квантового виходу фотоелектронів, фотопровідності та коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання для стекол As2S3 і Sb2S3.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"