Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000198574<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Skryshevsky V. A. Improved hydrogen detection of island type palladium film - nanoporous silicon diode at room temperature = Покращання чутливості до водню структури острівкова плівка паладію - кремнієвий діод при кімнатних температурах / V. A. Skryshevsky, V. Polischuk, A. I. Manilov, I. V. Gavrilchenko, R. V. Skryshevskу // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2008. - № 2. - С. 21-27. - Библиогр.: 15 назв. - англ.Розроблено сенсор водню на основі структури острівкова плівка паладію - кремнієвий діод, використовуючи тонкий (15 - 75 нм) шар нанопористого кремнію як проміжний чутливий шар. Використання термічного осадження паладію в поруватий кремній дозволяє змінювати розмір та морфологію металевих островків в матриці поруватого кремнію. Поведінку газового сенсора при експозиції водню в суміші 200 ppm- 10 % <$E roman H sub 2> та сухого синтетичного повітря (20 % <$E roman O sub 2~+~80> % <$E roman N sub 2>) досліджено шляхом вимірів вольт-амперних характеристик. Діодний струм і чутливість сенсора водню залежать від типу кремнієвої підкладки і товщини поруватого кремнію. Зміна струму від концентрації водню показує лінійну залежність для високої та низької концентрації водню. За кімнатної температури чутливість сенсора складає приблизно 1 мкА/100 ppm, час відгуку та відновлення знаходиться в межах 1 - 8 хв. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|