За допомогою методів дифракції повільних електронів, фото- та Оже-електронної спектроскопій досліджено структуру та електронні властивості інтерфейсів Sb/Ge(111). Установлено перехід від <$E roman с (2~times~8)> до <$E 7~times~7> структури на поверхні Ge(111) після нанесення 0,4 - 08 МШ Sb і наступного відпалу до 350 <$E symbol Р>C. Досліджено особливості змін електронної структури валентної зони, загину зон і роботи виходу залежно від <$E theta sub roman Sb> і температури відпалу інтерфейсів.

• Мельник Петро Володимирович (економічні науки)
• Мельник Петро Васильович (юридичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"