Данильченко Б. О. Надшвидка фотопровідність гетероструктур AlGaN/GaN широкозонних напівпровідників / Б. О. Данильченко, С. Є. Зеленський, Є. А. Дрок, О. О. Войціховська, А. Є. Бєляєв // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2007. - 5, вип. 1. - С. 91-103. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.Наведено результати експериментальних досліджень надшвидкої зміни фотопровідності гетероструктур Al0,33Ga0,67N/GaN за умови їх опромінення лазерним імпульсом тривалістю 10 нс й з енергією квантів 3,7 еВ. Великий сигнал швидкої зміни провідності збігається з розподілом інтенсивності лазерного випромінення у часі. На цій підставі зроблено висновок про час відгуку фотопровідності порядку 1 нс. Виявлено, що сигнал швидкої компоненти фотопровідності може бути суттєво підсилений зовнішнім електричним полем, прикладеним вздовж провідного каналу гетероструктури. Реалізовано підсилення сигналу у 10 разів у полях ~ 15 кВ/см за температур 4,2 та 300 К. Такий ефект підсилення пов'язано зі зростанням часу рекомбінації фотозбуджених носіїв, спричиненим впливом високочастотних нерівноважних акустичних фононів терагерцового діапазону, випромінюваних гарячими носіями у провідному каналі гетероструктури. Одержані результати мають суттєве значення для подальшого прогресу у створенні швидкодіючих та чутливих детекторів ультрафіолетового спектрального діапазону. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|