Досліджено релаксацію фотопровідності макропористого кремнію n-типу провідності. Встановлено, що ефективний час релаксації фотопровідності структур макропористого кремнію визначається бар'єрним механізмом, а релаксація відбувається за логарифмічним законом. Характерні часи релаксації фотопровідності макропористого кремнію на порядок величини перевищують час релаксації фотопровідності монокристалічного кремнію. За температур, більших за 150 K, температурна залежність часу релаксації фотопровідності визначається термоемісійним механізмом проходження струму в області просторового заряду, в діапазоні температур 150 - 100 K - рекомбінаційним механізмом, а менших за 100 K - тунельними процесами струмопротікання. У цьому разі ймовірність тунелювання, час життя фотоносіїв, переріз захоплення фотоносіїв не залежать від температури.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Карачевцева Людмила Анатоліївна (1949–) (фізико-математичні науки)
• Онищенко Володимир Пилипович (1946–) (економічні науки)
• Онищенко Володимир Федорович (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"