За допомогою методів інфрачервоної (ІЧ) спектроскопії та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено радіаційні властивості структур nc-Si/SiO2 і nc-Si/SiO2:N (легованих азотом), опромінених <$E gamma>-квантами <$E ~sup 60 roman Co> у діапазоні доз <$E 10 sup 3~-~10 sup 7> рад. На відміну від звичайних nc-Si/SiO2 структур, де малі дози (<$E 5~cdot~10 sup 3~-~1,6~cdot~10 sup 4> рад) радіаційної обробки призводять до зростання інтенсивності ФЛ, опромінення легованих азотом зразків nc-Si/SiO2:N викликає звичайне монотонне спадання ФЛ. Аналіз форми ІЧ-спектрів показує, що під дією радіації не змінюється склад і структура оксидної фази систем nc-Si/SiO2 і nc-Si/SiO2:N. У той же час, легування азотом суттєво покращує структурний стан межі поділу nc-Si~-~SiO2, тому ефект малих доз опромінення відсутній: дефектів, зокрема, обірваних зв'язків, стає мало, і <$E gamma>-кванти створюють тільки нові дефекти, що призводить до монотонного падіння інтенсивності ФЛ під час збільшення дози опромінення.

• Лісовський Ігор Петрович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Войтович Марія Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Войтович Михайло Володимирович (фізико-математичні науки)
• Войтович Марія Володимирівна (1965–) (психологічні науки)
• Мельник Віктор Павлович (1963–) (фізико-математичні науки)
• Мельник Володимир Петрович (юридичні науки)
• Мельник Валентин Павлович (технічні науки)
• Мельник Володимир Петрович (1952–) (філософські науки)
• Хацевич Ігор Мирославович (фізико-математичні науки)
• Войтович Василь Васильович (фізико-математичні науки)
• Войтович Володимир Васильович (технічні науки)
• Поварчук Василь Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"