Найбільш імовірні місця адсорбції одного, двох і трьох атомів кисню досліджено за допомогою розрахунків із перших принципів. Установлено, що найбільш енергетично вигідним є формування <$E roman Si sup 2+> координованого оксиду таким чином, щоб утворювались зв'язки Si - O - Si, що виникають між атомом поверхневого димеру й атомами другого шару. Встановлено, що кисень може спричиняти перемішування Si і Ge, що в свою чергу може призвести до зміни бар'єрів дифузії та хемосорбції. Взаємодія кисню з поверхнею не є виключно локальною.

• Афанас'єва Тетяна Вікторівна (фізико-математичні науки)
• Гринчук Оксана Анатоліївна (технічні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"