Kolesnik M. M. Determination of the parameters for localized states in spatially inhomogeneous semiconductor materials = Визначення параметрів локалізованих станів в просторово неоднорідних напівпровідникових матеріалах / M. M. Kolesnik, V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, N. V. Tirkusova // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 8-13. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Досліджено вплив неоднорідності просторового розподілу пасток (РП) у напівізолювальних матеріалах та за присутності міжфазних локалізованих станів (ЛС) на вигляд вольтамперних характеристик струмів, обмежених просторовим зарядом (ВАХСОПЗ). Розглянуто випадок, коли енергетичний РП описується вузькою гауссовою функцією, в той час як просторовий розподіл має максимум густини на одному чи обох електродах. Показано, що РП за товщиною зразка призводить до суттєвої зміни напруги повного заповнення пасток і великих похибок у визначенні дійсної концентрації локалізованих станів. Одночасно глибина залягання пасток визначається з відносно невеликою похибкою. Розраховано коригувальні коефіцієнти, які дозволяють врахувати вплив просторового РП на параметри глибоких пасток. Дослідження свідчать, що результати визначення параметрів ЛС за допомогою методу ВАХСОПЗ у базових шарах багатьох напівпровідникових приладів повинні бути переглянуті з урахуванням можливої неоднорідності зразків за товщиною. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|