За допомогою оптичних та електрофізичних методів досліджено дефекти структури вихідних та опромінених гамма-квантами зелених світлодіодів. Дослідження часових змін інтенсивності електролюмінесценції показали, що довготривалі релаксаційні процеси можуть бути зумовлені вихідними крупномасштабними дефектами структури - дислокаційними сітками, а саме дефектами темних ліній і дефектами темних плям, а опромінювання лише сприяє виявленню наявних у кристалі неоднорідностей. Виявлена за низьких температур (77 - 110 K) тонка структура вольт-амперних характеристик (ВАХ) в області негативного диференціального опору вказує на існування у збідненій області GaP p - n-переходу значної кількості глибоких рекомбінаційних центрів (ГРЦ). Характер струмових осциляцій визначається почерговим заповненням і звільненням цих рівнів. Опромінювання <$E gamma>-квантами <$E roman Co sup 60> призводить до розширення області ВАХ, де спостерігаються осциляції. Подібні зміни у ВАХ виникають також під дією ультразвуку. Така реакція діода зумовлена зростанням концентрації ГРЦ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"