За допомогою методів УФЕС, ОЕС та ДПЕ досліджено електронні властивості кристалічної Ge(111)c-<$E 2~times~8> та розупорядкованої іонами <$E roman Ar sup +> а-Ge(111) поверхонь, а також інтерфейсів на них з атомами Sb в діапазоні температур 20 - 400 C. Установлено складний характер зміни загину зон і роботи виходу залежно від ступеня покриття поверхонь атомами Sb та температури прогріву інтерфейсів. Запропоновано модель, що пояснює експериментальні дані.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"