Дмитриев А. И. Формирование наноразмерных массивов квантовых точек с заданной топографией и регулируемой плотностью на поверхности монокристаллов InSe и GaSe / А. И. Дмитриев, Г. В. Лашкарев, З. Д. Ковалюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 2. - С. 407-412. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Взаимодействие зонда атомного силового микроскопа в контактном режиме с поверхностью слоистых монокристаллов InSe, GaSe приводит к образованию проводящих оксидов In2O3, Ga2O3 в виде квантовых точек высотой до 0,7 нм и 1,4 нм, соответственно. Это явление связано с возникновением вакансий селена с образованием разорванных связей, которые присоединяют кислород воздуха. Плотность новообразований регулируется числом проходов зонда. Обсуждено использование выращенных структур In2O3/InSe в качестве холодных электронных эмиттеров. Ключ. слова: атомный силовой микроскоп, слоистые материалы, квантовые точки, формирование наноструктур Індекс рубрикатора НБУВ: К235.220.21 + В371.236
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|