Досліджено зміну параметрів бар'єра в фотодіодах на основі оптичного контакту p-GaSe - n-InSe в процесі старіння. Встановлено, що в результаті довготривалого зберігання внаслідок дифузійного розпливання кисню, адсорбованого на межі розділу, напівпровідникові пластини приходять у тісний контакт, унаслідок чого гетеропереходи набувають нових властивостей, обумовлених квантово-розмірними ефектами.

Ключ. слова: шаруваті напівпровідники, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, вольт-фарадні характеристики, від'ємна диференційна провідність, резонансне тунелювання
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6 + В379.2

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Драпак Степан Іванович (фізико-математичні науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"