Досліджено рівноважні характеристики напівізолюючих (<$E sigma ~=~(4,3~cdot~10 sup -9 ~-~1,1~cdot~10 sup -10 )~ roman Ом sup -1 ~cdot~ roman см sup -1>) кристалів CdTe:V, вирощених за допомогою вертикального методу Бріджмена. Концентрація домішки в розплаві була рівною <$E roman C sub V sup 0 ~=~(1~cdot~10 sup 18 ~-~1~cdot~10 sup 20 )~ roman см sup -3>. Провідність більшості кристалів носила змішаний характер. Енергія активації робочих рівнів знаходилася в межах: <$E roman E sub C ~=~-(0,76~-~0,86>) еВ - для зразків n-типу і <$E roman E sub V ~=~+(0,76~-~0,78>) еВ - для матеріалу p-типу. Після термообробки за температури 1073 К і різному тиску пари Cd кристали залишаються високоомними, але швидкість встановлення рівноваги залежить від умов охолодження напівпровідника після відпалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3

Рубрики:

Кристалічний стан твердого тіла

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Парфенюк Орест Архипович (фізико-математичні науки)
• Ілащук Марія Іванівна (фізико-математичні науки)
• Ульяницький Костянтин Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"