Махний В. П. Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В. П. Махний, И. В. Ткаченко // Укр. хим. журн. - 2007. - 73, № 3-4. - С. 95-99. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена <$E V sub roman Se sup symbol Ч> и двухзарядные вакансии цинка <$E {V symbol Т} sub roman Zn>, а также их ассоциаты (<$E {V symbol Т} sub roman Zn V sub roman Se sup symbol Ч>). Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|