Исследованы вольтамперные характеристики МОП-транзисторов при T = 300 K и T = 77 K. Проанализированы и сравнены различные методики определения порогового напряжения МОП-транзисторов при комнатной и криогенной температурах, а также вычислены подвижность и коэффициент уменьшения подвижности носителей заряда. Смоделировано функционирование транзисторов в рамках программы PSPICE для T = 300 K и T = 77 K и сравнены результаты моделирования с экспериментом. Полученные данные позволяют моделировать основные элементы схем считывания при T = 77 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)
• Рева Володимир Павлович (технічні науки)
• Рева Віктор Петрович (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"