Запропоновано і апробовано методи лазерного оброблення матеріалів, які дозволяють формувати різкі p - n переходи на основі власнодефектних та легованих напівпровідників. Проведено порівняльний аналіз ефективності методів лазерного рідкофазного та твердофазного легування напівпровідників домішками, нанесеними на поверхню матеріалів. Показано, що найбільший ефект для цілей оптимізації лазерного оброблення напівпровідників досягається під час комбінованої дії на напівпровідник випромінювання від двох лазерів, які працюють в різних спектральних, енергетичних і часових режимах. Досліджено особливості автолегування епітаксійних шарів домішкою, джерелом якої слугувала імплантована заданою дозою іонів поверхня підкладки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-060.1/8

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бончик Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)
• Власов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)
• Готра Зенон Юрійович (технічні науки)
• Кияк Степан Григорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Могиляк Іван Адріанович (фізико-математичні науки)
• Савицький Григорій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"