За допомогою методу температурних (300 - 100 K) залежностей конденсаторної фотоерс досліджено структури пористого кремнію на підкладках p-Si і n-Si, виготовлені із використанням внутрішнього джерела струму. Ці ж структури досліджено після їх легування паладієм Pd із водних розчинів PdCl2. Якщо до легування межові шари n- і p-Si мали вигин енергетичних зон вниз, то після легування - вгору. Легування Pd збільшує концентрацію межових електронних станів нижче середини забороненої зони Ei і зменшує її вище Ei, а також зменшує концентрацію пасток для дірок на межі por-Si/n-Si. Досліджуючи часові залежності струму у воді між легованими Pd (або нелегованими) структурами і Yb (або Pt)-електродами, без прикладання зовнішньої напруги виявлено ефективне розкладання води на іони <$E roman OH sup -> і <$E roman H sup +> у процесі реалізації каталітичної активності електродів Yb і por <$E roman {Si symbol ... Pd symbol ъ} "/" n- roman Si>.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Чорнобай Валерія Анатоліївна (філософські науки)
• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"