Проаналізовано проблеми, пов'язані з необхідністю суттєвого підвищення чистоти кристалів Si від залишкових електрично малоактивних (за звичайних умов) домішок типу кисень (O), вуглець (C), азот (N), водень (H), аргон (Ar) і гелій (He). Адже деякі з названих елементів, наприклад атоми кисню, внаслідок термообробок, які є необхідними ланками технологічного процесу, пов'язаного з виготовленням напівпровідникових приладів, переходять із електрично пасивного стану в електрично активний (ЕА) стан. Інші з названих елементів (наприклад, вуглець) у процесі електронного та нейтронного опромінювання забезпечують утворення комплексів, які також є ЕА. Кристали кремнію, призначені для створювання детекторів, що використовуються в ядерній спектроскопії, взагалі мають бути вільними від будь-яких домішок, бо навіть електрично нейтральні домішки будуть розсіювати електрони, зменшуючи їх рухливість, як наслідок, втрачається швидкодія детектора та знижується його роздільна здатність. Існують і інші сфери використання кристалів Si та хімічних елементів, для яких рівень граничної чистоти має вирішальне значення, наприклад сфера трансмутаційного легування, деякі наукові проблеми та конкретні задачі метрології і стандартизації, а також зростаючі вимоги до чистоти препаратів у біології, фармацевтичній промисловості та медицині.

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)
• Долголенко Олександр Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"