С помощью методов рентгенографического, электронографического, резистометрического анализов, резерфордовского обратного рассеяния исследованы твердотельные реакции в наноразмерной пленочной композиции Ni(10 нм)/Si(001), полученной магнетронным напылением слоя никеля на монокристаллическую подложку кремния. Отжиги образцов проводились в температурном интервале 400 - 1 000 <$E symbol Р>C в течение 30 с в проточном азоте и в вакууме <$E 1,3~cdot~10 sup 3> Па. Установлено, что атмосфера отжига существенно влияет на развитие твердотельных реакций в Ni(10 нм)/Si(001). Показано, что отжиг в вакууме сопровождается существованием слоя непрореагировавшего никеля до 700 <$E symbol Р>C одновременно с фазами NiSi и NiSi2. При отжиге в вакууме температурная область существования силицида NiSi на 150 градусов больше, чем при отжиге в азоте, из-за блокирования кислородом остаточной атмосферы на границах зерен протекания твердотельных реакций с образованием NiSi2.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"