Під час виготовлення фотодетекторів на основі <$E { roman Hg} sub {1~-~x} {roman Cd} sub x roman Te> використовують гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів. Досліджено гетероструктури - пасивувальний шар анодного оксиду, пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку <$E { roman Hg} sub {1~-~x} {roman Cd} sub x roman Te>, одержані за допомогою методу молекулярно-промененої епітаксії. Структуру пасивувальних шарів досліджено методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовано метод Х-променевої дифрактометрії. Визначено сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджено за допомогою методу мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок <$E {roman Hg} sub {1~-~x} {roman Cd} sub x roman Te>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"