За допомогою методів електронної Оже- та іонізаційної спектроскопії експериментально досліджено хімічний склад оксидів, що утворюються на поверхні Si(001) з передадсорбованими субмоношаровими покриттями стибію при експозиціях до <$E 10 sup 8> Л (Ленгмюр) у молекулярному кисні. Вперше показано, що, на відміну від бісмуту в системі Bi/Si(001), який залишається у неокисненому стані на поверхні шару SiO2, утвореного на поверхні Si(001) після експозиції в кисні, стибій в системі Sb/Si(001) утворює оксиди стибію одночасно з оксидом кремнію при експозиціях у молекулярному кисні, більших за <$E 10 sup 6> Л. Існування оксидів стибію в його субмоношарових покриттях на поверхні Si(001) узгоджується з результатами попередніх квантово-хімічних розрахунків.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Лень Юрій Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"