Методами електронних оже- та іонізаційної спектроскопії експериментально досліджено хімічний склад оксидів, що утворюються на поверхні Si(001), з попередньо адсорбованим субмоношаром сурми, після експозиції у молекулярному кисні до <$E 10 sup 8> Л (1 Л (Ленгмюр) = <$E 10 sup -6~roman {мм рт.ст.~cdot~с}>). Вперше експериментально показано, що за експозицій в O2, більших за <$E 10 sup 6> Л, на таких поверхнях утворюються як оксиди сурми, так і оксиди кремнію, за стехіометричним складом близькі до SiO2. Ця властивість сурми відрізняє її від вісмуту, за присутності якого утворюються лише оксиди кремнію, що узгоджується з попередніми розрахунками енергій адсорбції кисню на поверхнях Sb/Si(001) та Bi/Si(001). Поміж причин необхідності помітно більших експозицій для утворення оксидів кремнію в системі Sb/Si(001), ніж у системі Bi/Si(001), можуть бути суттєво менші напруження та перенесення заряду між сурфактантом та підкладкою, що спостерігається в шарах Si за адсорбції Sb. Проведене квантово-хімічне моделювання оксидних фаз Sb у субмоношарових покриттях на кремнії показало, що величини хімічних зсувів <$E N sub 4,5> рівнів сурми пропорційні змінам ефективного заряду на атомах Sb.

• Лень Юрій Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"