За допомогою ультрафіолетової фотоелектронної й оже-електронної спектроскопії досліджено формування Au/Si інтерфейсів на впорядкованих <$E roman Si(100)-2~times~1> і розупорядкованих бомбардуванням іонами Ar поверхнях a-Si(100). Показано відсутність критичної товщини плівки Au для початку хімічної взаємодії між атомами Au та Si для обох типів досліджуваних поверхонь. Виявлено, що в разі адсорбції атомів Au на a-Si(100) формування електронної структури, характерної для <$E 5d>-зони об'ємного Au, відбувається значно повільніше, ніж на <$E roman Si(100)-2~times~1> поверхні.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"