Представлено результати досліджень впливу легування галієм на властивості монокристалів сполук <$E roman {A sup 4 B sup 6}> і <$E roman {A sup 2 B sup 6}> під час вирощування з парової фази. Встановлено, що основною причиною поведінки концентрації носіїв струму близької до власної, залежно від температури, є молекулярне впровадження домішки у вигляді <$E roman {Ga sub 2 Te sub 3}>. Необхідною умовою є розчинність Ga в кількості двох атомів Ga на одну вакансію металу в металічній підгратці, а також надлишок Te.

• Фейчук Петро Іванович (технічні науки)
• Щербак Лариса Павлівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"