Наведено експериментальні дослідження тонких плівок GaN, одержаних шляхом обробки монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту. Виконано вимірювання профілограм розподілу миш'яку та азоту за товщиною гетероструктури GaN/GaAs. Проведено аналітико-числове моделювання процесів росту тонких плівок GaN на підкладках GaAs та профілів розподілу атомів основних хімічних елементів, що входять до складу епітаксійної плівки GaN та монокристалічної підкладки GaAs. На основі аналітичних і числових розрахунків проаналізовано та уточнено фізико-математичні моделі росту тонких плівок GaN при обробці монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту.

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"