Зазначено, що ускладнення процесу формування інтегрованих схем і подальший прогрес на шляху їх мініатюризації стимулює пошук нових матеріалів, необхідних для створення пристроїв нанометрових розмірів. Перспективними матеріалами для виготовлення затворів, контактів та міжз'єднань у надвеликих інтегральних схемах є силіциди, зокрема, CoSi2, який спроможний забезпечити технологічні процеси розмірами 0,13 і, можливо, навіть 0,09 мкм. Проведено стислий огляд способів одержання силіцидів, розглянуто проблеми, які в цьому випадку виникають, а також існуючі методи їх вирішення. Запропонований підхід - багатоступеневий покроковий метод - дозволяє вирішити ряд труднощів, які існують на цей час і забезпечує створення CoSi2 плівок з досить гладкою зовнішньою поверхнею. Це підтверджується дослідженнями, виконаними ex situ за допомогою атомно-силового мікроскопа. Одержана інформація разом з даними оже-спектроскопії та спектроскопії характеристичних втрат електронної енергії, дозволяє зрозуміти особливості формування силіцидів і запропонувати подальшу модернізацію технології їх вирощування.

Ключ. слова: silicides, roughness, growth technique, AFM images
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"