A new consistent quantum-mechanical approach is developed for description for key features of the electro-absorption in solids, semiconductors and photoionization of negative ions in the presence of electric field. Numeric calculation data on photoionization of negative ion in an electric field are presented. It is noted that the field dependence of electro-absorption cross-section can be used for defining the configuration (momentum) of states and relative distribution function for impurity centres in multi-component doped semiconductors.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"