Розраховано поздовжню провідність шаруватих кристалів у напрямку C-осі з урахуванням залежності хімічного потенціалу електронного газу від квантуючого магнітного поля для двох випадків: сталого часу релаксації та часу релаксації, пропорційного поздовжній швидкості носіїв струму. Показано, що у першому випадку відносний внесок осцилюючої частини провідності в квазікласичному наближенні в повну поздовжню провідність є більшим, ніж у другому випадку. Враховуючи залежності хімічного потенціалу від магнітного поля, показано, що у сильних полях повна поздовжня провідність прямує до нуля за законом <$E B sup -2> за умови сталого часу релаксації та за законом <$E B sup -3> за часу релаксації, пропорційного поздовжній швидкості носіїв струму (B - індукція магнітного поля).

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.14

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"