A new method is proposed to control the defect composition in chalcogenide semiconductors <$E A sup roman II~-~B sup roman VI>. To achieve an inversion of mono-polar n-type semiconductor to p-type conductivity, the crystals should be annealed in activated chalcogenide vapour at the certain temperature. The new low temperature technique for growing <$E A sup roman II~-~B sup roman VI> semiconductor structures (Radical Beam Gettering Epitaxy) is used. This technique offers the possibility to grow both n- and p-type <$E A sup roman II~-~B sup roman VI> epilayers. The technology made also possible to obtain heterostructures.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2

Рубрики:

Халькогеніди

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Рогозін Ігор Вікторович (1965–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"