Досліджено структурні зміни навколо відбитка індентора на монокристалах GaAs. Використано зразки у формі прямокутних паралелепіпедів розмірами <$E 2,4~times~3,1~times~3,2~roman мм sup 3>, що відповідають кристалографічним напрямкам [011-], [011] і [100]. Відбитки нанесено на бічні поверхні (011-) і (011) у випaдку навантаження на індентор 0,20 Н. Потім зразок піддавався стискові уздовж [100] (більшого виміру) до напруження "Sigma" = 83 МРа та витримувався під навантаженням 120 годин за умови T = 300 K. Після зняття тиску хімічним вибірковим травленням виявлено два типи дислокацій поблизу відбитка індентора: призматичні петлі, що вийшли з області концентрації напруження за допомогою переповзання, та дислокації, що ковзають по площинах {111}. Виявлено розбіг дислокацій по площинах спайності в результаті сколу кристала.

Ключ. слова: GaAs, mechanical pressure, deformation, relaxation, dislocations
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В368

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Фізика високих та низьких температур

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"