Проведено дослідження п'єзоопору ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу з кристалографічною орієнтацією, легованих бором, на пружних елементах з інварного сплаву в широкому діапазоні деформацій <$E epsilon~=~symbol С~1,26~times~10 sup -3> відн. од. і температур 4,2 - 300 K. Вимірювання проведено в гелієвому кріостаті. Досліджено НК кремнію з різною концентрацією бору: сильно леговані кристали з металевою провідністю; поблизу переходу метал - діелектрик (ПМД) з металевого боку; поблизу ПМД з діелектричного боку. Визначено залежності відносної зміни опору HK p-Si, закріплених на балках з інвару, від деформації розтягу та стиску за фіксованих температур: 4,2 K, 77 K і 300 K, а також температурні залежності коефіцієнта тензочутливості цих кристалів у діапазоні температур 4,2 - 300 K. У сильно легованих HK p-Si у всьому діапазоні температур спостерігався класичний п'єзорезистивний ефект. У HK Si з концентрацією бору поблизу переходу метал - ізолятор за гелієвих температур виявлено некласичний п'єзоопір. Величина коефіцієнта тензочутливості в HK Si з концентрацією бору, що відповідає діелектричному боку ПМД, за умов 4,2 K досягала значень <$E K sub 4,2K ~symbol Ы~-10~000> у разі деформації стиску та <$E K sub 4,2K ~symbol У~8~000> у разі деформації розтягу. Одержані характеристики HK кремнію p-типу, закріплених на пружних елементах, дозволяють прогнозувати характеристики п'єзорезистивних сенсорів механічних величин на їх основі. Показано можливість створення на основі цих кристалів сенсорів механічних величин (деформації, тиску та ін.) двох типів: для широкого діапазону температур 4,2 - 300 K на основі сильно легованих

HK Si p-типу та високочутливих сенсорів на основі кристалів кремнію з концентрацією бору поблизу ПМД для систем контролю і сигналізації за умов кріогенних температур.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"