Smyntyna V. A. Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions = Релаксація сигналу в сенсорі зображення на базі неідеального гетеропереходу / V. A. Smyntyna, V. A. Borschak, A. P. Balaban // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2004. - № 1. - С. 41-44. - Библиогр.: 2 назв. - англ.Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетеропереходу. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть за кімнатної температури може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівноважним зарядом, захопленим на глибокі пастки в області просторового заряду, де є значний рекомбінаційний бар'єр. Дослідження релаксації сигналу після вимикання збудливого світла виконано в чотирьох точках сенсора. Установлено, що в різних точках сигнал убуває з тим самим характерним часом релаксації, однак сильно відрізняється за абсолютною величиною. Це свідчить про те, що неоднорідність сенсора за фоточутливістю зумовлена істотною зміною уздовж поверхні концентрації пасткових центрів з тими самими параметрами, що визначають імовірність термічного викиду. Індекс рубрикатора НБУВ: З854
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|