За допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії досліджено структуру нанониток Bi на поверхні <$E roman Si(001)2~times~1>. Крім відомих з літератури синфазних нанониток, уперше виявлено антифазні нанонитки Bi та запропоновано їх структурні моделі. Показано, що релаксація напружень, що виникають через різницю довжин зв'язків між атомами Si в підкладці й атомами Bi в нанонитці, призводить до перерозподілу дефектів у скупчення типу вакансійних траншей, паралельних нанонитці на підкладці <$E roman Si(001)2~times~1>. За температур, на 20 - 40 <$E symbol Р>C вищих, ніж температура формування нанониток (520 <$E symbol Р>C), останні починають руйнуватись через появу дефектів, які є заміщенням атомів Bi на димери Si. Енергія активації десорбції Bi з антифазної нанонитки на 0,05 еВ є вищою, ніж із синфазної, що свідчить про більшу стабільність антифазних нанониток Bi на поверхні <$E roman Si(001)2~times~1>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"