За допомогою методів ємнісної спектроскопії глибоких рівнів досліджено властивості радіаційних і термічних дефектів, що утворюються в монокристалічному Si у разі 1 МеВ електронного опромінення за температури 450 <$E symbol Р>C. Виявлено сім електронних рівнів у верхній і два рівня у нижній половинах забороненої зони Si. Визначено їх енергетичні та кінетичні характеристики. Встановлено, що вторинні радіаційні дефекти здатні до міграції на великі відстані. Показано значне прискорення генерації кисневих термодонорів під дією електронного опромінення. Одержані результати інтерпретовано радіаційно прискореною дифузією атомів домішки кисню та формуванням різних кисневмісних комплексів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"