Локальну електронну структуру малих вкраплень Si у структурі SiO2 обчислено за допомогою метододу ЛМТО (лінійних muffin-tin орбіталей) у підході суперкомірки. Щоб точно відтворити значення фундаментальної енергетичної щілини, в розрахунок введено квазічастинкові поправки у формі нелокального (залежного від l) додаткового потенціалу для атомів кремнію та кисню. Показано, що для введених малих кластерів Si поріг збудження визначається прямою енергетичною щілиною між електронними станами, що локалізовані на вкрапленні Si. Ця енергетична щілина відображує зв'язувально-антизв'язувальну взаємодію та зростає зі зменшенням міжатомної відстані. Локальний розподіл електронної густини й особливості Si - O і Si - Si зв'язків обговорено для включень Si2 і Si5, однак ці кластери ще дуже малі, щоб відтворити величину енергетичної щілини, що вимірюється в Si/SiO2 наноструктурах.

Ключ. слова: silicon, electronic structure, energy gap, interatomic bonding, atomic cluster, electron density, local charge
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Антонов Віктор Миколайович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"