Отмечено, что в последнее время созданы ряд сенсоров, особенно газовых, с использованием акусторезистивного эффекта (АРЭ). Обсуждены различные физические механизмы, приводящие к изменению электрического сопротивления вещества в присутствии высокочастотной акустоэлектрической волны. В более популярных сенсорах данное явление используется через появление вторичных эффектов. Рассмотрено проявление АРЭ в объеме и на поверхности вещества. В полупроводниковых кристаллах при модуляции электронных уровней волной возникает освобождение, "выталкивание" носителей тока из уровней захвата. При более сложной модели электронных уровней может проявляться задержка носителей на этих уровнях. Отмечено, что значительное изменение сопротивления возникает в сенсибилизированных кристаллах фотопроводников вследствие акустического гашения фотопроводимости. В некоторой группе кристаллов с "одним" уровнем возникает уменьшение сопротивления кристалла - отрицательный АРЭ; во второй группе - с "двумя" уровнями - возникает значительная положительная акусторезистивность. В настоящее время больший интерес представляют сенсоры с применением явлений в тонких слоях или на поверхности.

Другая модель АРЭ на поверхности основана нарушением адсорбционного равновесия с окружающей газовой средой при модулированном поверхностном потенциале. Исследования показали, что для изготовления сенсоров весьма подходящими являются слои касситерита (SnO2), в которых возможна реализация как положительной, так и отрицательной акусторезистивности; данное обстоятельство определяется созданием поверхности или донорного, или акцепторного характера при адсорбции газа различного химического состава.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"