Досліджено механізм електропровідності монокристалів <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te> (<$E x> = 0,05) з урахуванням глибоких акцепторних домішок (дефектів) декількох типів та їх компенсації донорами. Визначено енергію іонізації та ступінь компенсації акцепторів, відповідальних за електропровідність матеріалу. Сформульовано оптимальні умови збільшення питомого опору залежно від глибини акцепторного рівня.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"