Систематизовано різноманітні явища й ефекти ультразвуковї дії на фізичні характеристики дислокаційних кристалів типу A2B6(CdS, ZnS, CdxHg1-хТе) та бездислокаційних (Ge, Si); наведено результати для напівпровідникових світловипромінювальних структур (GaAs, GaAlAs, GaP); проаналізовано можливості використання активного ультразвуку (УЗ) у технології мікроелектронних приладів (термоакустичний відпал дефектів, акустостимульоване легування за допомогою методу імплантації іонів домішок). Розглянуто динамічні ефекти (in-situ), які проявляються лише під час дії УЗ. Обговорено можливі механізми таких акустостимульованих ефектів та їх застосування. Розглянутий спектр фізичних та технологічних ефектів УЗ у напівпровідниках запропоновано для наступного їх використання в сенсорній електроніці.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"