У широкій смузі частот за допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів у варизонному напівпровіднику досліджено діоди Ганна на основі різних варизонних напівпровідникових сполучень <$E roman {A sub 3 B sub 5} ({roman In} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) {roman As}>, <$E {roman Al} sub x(z) {roman Ga} sub 1-x(z) {roman As}>, <$E {roman InP} sub 1-x(z) {roman As} sub x(z) )>, склад яких в активній зоні лінійно залежить від координати. Визначено критичні частоти генерації, енергетичні та частотні характеристики. Наведено перелік перспективних для застосування у діодах Ганна варизонних, трійних напівпровідникових сполук A3B5.

• Аркуша Юрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"