Колбасов Г. Я. Фоточувствительность CdSe-электрода, модифицированного наноразмерными частицами CdS и SnO2 / Г. Я. Колбасов, Т. С. Лукиянюк, С. М. Малеваный, Э. В. Панов // Укр. хим. журн. - 2004. - 70, № 2. - С. 103-107. - Библиогр.: 21 назв. - рус.Вивчено спектральні залежності фотоелектрохімічного струму та диференціальної ємності полікристалічного CdSe-електрода, модифікованого нанорозмірними частками CdS і SnO2. Наночастки CdS одержано в лужних або слабко кислих водно-спиртових розчинах, що містять Na2S і CdCl2. Нанорозмірні частки SnO2 одержано за допомогою синтезу з SnCl2 за присутності рідкої фази іонного розплаву. Показано, що зменшення фотоелектрохімічного струму в короткохвильовій частині спектра пов'язано з рекомбінацією носіїв заряду та катодним фотострумом реакції виділення водню, у якій беруть участь основні носії заряду (електрони зони провідності), а також поверхневі електронні стани на CdSe. Після осадження наночасток CdS вплив цих чинників на фотоелектрохімічний процес зменшився, що призвело до збільшення квантового виходу фотоструму. Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|