Предложена физико-математическая адсорбционно-десорбционно-кристаллизационная модель роста тонких пленок GaN на подложках GaAs при обработке их в активных радикалах азота. Проанализированы термодинамика, кинетика и два физико-химических механизма роста тонких пленок GaN на поверхности монокристаллических подложек GaAs. Первый квазиэпитаксиальный механизм роста осуществляется, когда родикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, вытягивают из его объема атомы Ga и на поверхности базового кристалла вырастают новые слои GaN, второй - когда активные радикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, диффундируют в объем подложки и эпитаксиальная пленка GaN растет по диффузионному механизму.

• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"