В інтервалі температур 5 - 300 K визначено структуру та питомий опір полікристалічного MgB2. В цьому ж інтервалі темпуратур досліджено його імпеданс для частот 9 - 110 МГц. Показано, що у всьому температурному інтервалі тип гратки та симетрія надпровідної фази MgB2 залишаються незмінними. В зоні температури надпровідного переходу <$E T sub c ~=~39,5 roman K> спостерігається структурна нестійкість, яка супроводжується розкиданням вимірюваних параметрів гратки. Зроблено висновок про суттєво анізотропний характер деформації кристалів за умов зміни температури. Під час вимірювання температурної та частотної залежностей поверхневого опору <$E R sub s (T,f)> у надпровідному стані виявлено перехід від піппардівської нелокальної межі за умов <$E T~<<<<~T sub c> до лондонівської локальної межі поблизу <$E T sub c>. За умов <$E T "/" T sub c ~<<~0,76> величина <$E R sub s (T)> добре описується експоненційною залежністю exp (<$E - DELTA (T) "/" kT>) згідно з теорією БКШ.

• Стржемечний Михайло Олексійович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Терехов Андрій Валерійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"