Боцула О. В. Совместная работа двухуровневого резонансно-туннельного диода и диода Ганна / О. В. Боцула, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и электроника. - 2003. - 8, № 1. - С. 110-114. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Досліджено роботу послідовно сполучених дворівневого резонансно-тунельного діода AlAs/GaAs і GaAs-Ганна в резонансному ланцюзі. Вольтамперні характеристики такої низки діодів мають особливості - перескоки по струму, ділянки вольтамперних характеристик недоступні для вимірів, зсув максимумів струму до області великих напруг. Вольт-амперні характеристики мають три ділянки з негативною диференціальною провідністю, що можна використати для генерації в міліметровому діапазоні. Визначено співвідношення параметрів резонансно-тунельного діода та діода Ганна, за яких утворюються три зони генерації - дві зони за рахунок резонансного тунелювання й одна зона за рахунок міждолинного переносу електронів. Оцінено ефективність генерації в цих зонах на частотах міліметрового діапазону. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|