Исследованы радиационные эффекты в тонких эпитаксиальных пленках ВТСП <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x>, облученных малыми дозами электронов c энергией 1 МэВ. Максимальная доза облучения (<$E 4~cdot~10 sup 16> электронов/<$E roman см sup 2>) выбрана из за возможности пренебречь уменьшением критической температуры <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x>, обусловленным дефектами, образованными в результате электронно-ядерных столкновений. При выполнении этого условия основным источником радиационных эффектов в пленках ВТСП могут быть процессы, связанные с возбуждением электронной подсистемы <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x>. При облучении пленок <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x> дозами <$E ( 1~-~4 )~cdot~10 sup 16> электронов/<$E roman см sup 2> наблюдалось повышение их критической температуры <$E Т sub с> (в противоположность описанному в литературе уменьшению <$E Т sub с> при облучении дозами, большими <$E 10 sup 18> электронов/<$E roman см sup 2>), которая с течением времени после облучения релаксировала к своему исходному значению. Подобные эффекты аналогичны явлениям, наблюдавшимся при фотовозбуджении электронной подсистемы <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x>(фотостимулированная сверхпроводимость). Наблюдалось также понижение плотности критического тока в облученных пленках <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x>, которое связано с радиационными изменениями прозрачности дислокационных стенок в малоугловых межблочных границах для сверхпроводящего тока.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"