Показано, що <$E gamma >-опромінення високотемпературного надпровідника (Bi0,8РЬ0,2)2Sr2Ca2Cu3O10 в нормальному та надпровідному станах дозами 100 та 300 кГр стимулює перенесення дефектів Bi, Cu, O вздовж осі <$E bold roman c> кристалів. Атоми Bi та Cu мігрують з об'єму до поверхні, де вони накопичуються в шарі завтовшки 250 - 400 <$E roman A back 35 up 30 {symbol Р}>, а O - із поверхневого шару в об'єм. Кількість атомів Ca та Sr в поверхневому шарі не змінюється або слабко коливається. Перенесення пов'язано з міграцією дефектів у полі стимульованих <$E gamma >-опроміненням в об'ємі кристалів колективних збуджень (які слабко затухають) важких носіїв, розсіювання яких на поверхні призводить до зміни елементного складу поверхневого шару.

• Бакунцева Марина Володимирівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"