Исследованы зависимости плотности критического тока <$E j sub c> от величины и направления магнитного поля <$E bold roman H> в тонких эпитаксиальных пленках <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7-delta}> с высокой <$E j sub c> в отсутствие поля (~ <$E 10 sup 6 roman {А "/" см} sup 2> при 77 К) и с толщиной d, меньшей удвоенной глубины проникновения магнитного поля <$E lambda>. Установлено, что зависимости <$E j sub c (H)> имеют низкополевые плато как при перпендикулярном, так и при параллельном пленке поле. В магнитном поле, перпендикулярном пленке, плато "эффективного пиннинга" простирается до поля, соответствующего достижению плотности "прошивающих" пленку вихрей Абрикосова, при которой им уже не выгодно быть всем запиннингованными на краевых дислокациях в межблочных границах, и часть вихрей становится непиннингованной. В отличие от этого в поле, параллельном пленке, окончание плато не связано с депиннингом проникших в нее параллельных пленке вихрей, а уменьшение <$E j sub c (H)> за пределами плато определяется ослаблением пиннинга перпендикулярных пленке вихрей в параллельном ей магнитном поле. Низкополевое плато на зависимости <$E j sub c (H)> для поля, лежащего в плоскости пленки, оказывается шире, чем плато при нормальном намагничивании. Поэтому зависимость <$E j sub c> от угла между <$E bold roman H> и нормалью к пленке имеет один максимум при поле, лежащем в плоскости пленки. В пленках, полученных лазерным либо электронно-лучевым испарением <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7-delta}> или компонентов этого состава, измерения <$E j sub c> на которых велись индукционным методом, уменьшение <$E j sub c> при увеличении

поля в плоскости пленки начинается раньше первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки. А на магнетронно-осажденной пленке, где <$E j sub c> измерялся транспортным методом, это уменьшение <$E j sub c> начинается в поле много большем указанного критического поля. Обсуждены возможные соотношения между параметрами зависимости <$E j sub c (H)> и первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки, в том числе и те, которые приводят к различным угловым зависимостям критического тока.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В368.2

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Пашицький Ернст Анатолійович (1936–) (фізико-математичні науки)
• Рябченко Сергій Михайлович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Пан Володимир Михайлович (фізико-математичні науки)
• Черпак Юрій Володимирович (фізико-математичні науки)
• Черпак Юрій Васильович (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"