У температурній області <$E T ~=~ 77~symbol Ш~ 300> К виміряно холлівську рухливість електронів <$E mu sub roman H> у монокристалах кремнію, легованих фосфором до та після опромінення електронами та протонами, а також термообробки. В низькотемпературній області величина <$E mu sub roman H> зі збільшенням дози опромінення помітно зменшується. У деяких випадках на кривих залежностей <$E mu sub roman H (Т)> спостережено один або два мінімуми. Пояснення появи останніх знайдено за допомогою моделі, яка грунтується на термічній поляризації пар дефектів, що з'являються в ході опромінення.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"