Вивчено вплив термообробки в контрольованому розрідженому газовому середовищі (~ <$E 10 sup -6> Па) на формування на поверхні монокристала Si (100) нанорозмірних структур, що складаються з комплексів "атом металу - вакансія - адсорбована молекула на основі OH-групи" з використанням методів контактної різниці потенціалів, спектроскопії повного струму, мас-спектрометрії вторинних іонів. Виявлено вплив електронів низької енергії (<$E ~<<~100> еВ) на роботу виходу Si (l00) після довготривалої термообробки за температури 870 - 950 K. Показано, що в процесі адсорбції та формування OH-груп на модифікованій поверхні Si (100) робота виходу збільшується від <$E phi sub 0> = 4,6 до 5,8 еВ, в цьому разі ефект впливу електронів на роботу виходу збільшується від 0 до ~ 2 еВ. Установлено нелінійну залежність <$E DELTA phi> від енергії електронів, що впливають на наноструктуровану поверхню з максимумом <$E DELTA phi> за умови E ~ 80 еВ.

Ключ. слова: кремний, работа выхода, отражение электронов, наноструктурированная поверхность, хемосорбция
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В371.236

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Нищенко Михайло Маркович (технічні науки)
• Шевченко Наталія Олександрівна (педагогічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"