Изучены гальваномагнитные свойства манганитсодержащих пленок <$E roman La sub 0,65 roman Ca sub 0,35 roman MnO sub 3> толщиной 0,2 <$E mu roman m> на сегнетоэлектрических подложках <$E roman РЬ sub 2,9 roman Ba sub 0,05 (roman Zr sub 0,4 roman Ti sub 0,6) roman O sub 3>. Обнаружен необратимый эффект роста удельного сопротивления <$E rho> пленок, вызванный механическим стрессом и протеканием в пленке локальных токов, действующих при изменении поляризации подложки. Широкий диапазон плавного изменения <$E rho ~=~1,8~cdot~10 sup -2 ~-~1,8> <$E OMEGA ~cdot~ roman см> без нарушения макроскопической однородности проводимости пленки объясняется образованием новых границ и уменьшением масштаба бездефектных областей пленки. Максимальный масштаб (<$E 3~-~10 mu roman m>) задан размером зерен керамической подложки, а минимальный (100 нм) - структурой самих зерен. Пленки демонстрируют низкополевой магниторезистивный (MR) эффект с полем насыщения Н = 1,5 kOe при Т = 100 - 180 К и линейно-убывающей температурной зависимостью MR(T).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"