Досліджено вплив відпалу в атмосфері радикалів азоту, одержаних шляхом обробки аміаку у високочастотному розряді, на люмінесцентні властивості плівок GaN:Zn, вирощених за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії на сапфірових (0001)-підкладках. В міру підвищення температури відпалу спостережено монотонне зменшення інтенсивності фіолетової 2,88 еВ і близькокрайової 3,48 еВ смуг фотолюмінесценції (ФЛ). Внаслідок відпалу в атмосфері радикалів азоту за температур 500 - 750 <$E symbol Р>С виявлено нові смуги з енергіями випромінювання в максимумі 3,27 і 3,42 еВ, інтенсивність яких збільшувалася з ростом температури відпалу. Проведено аналіз механізмів утворення та природи всіх смуг. Установлено, що смуги люмінесценції 2,88; 3,42 та 3,27 еВ характерні для плівок GaN, одержаних практично за будь-якою технологією, і пов'язані з простими дефектами структури. Експериментально доведено участь кисню у формуванні смуги 3,42 еВ.

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)
• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"